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迷商城网上商城入口【网站— mmgg520.com—】DRAM 成本低，容量大，但是可用的 eDRAM IP 核工艺节点不先进，读取延迟（Latency）也大，且需要定期刷新数据。Flash 则属于非易失性存储器件，具有低成本优势，一般适合小算力场景。SRAM 在速度方面具有极大优势，有几乎最高的能效比，容量密度略小，在精度增强后可以保证较高精度，一般适用于云计算等大算力场景。【网站— mmgg520.com—】迷商城网上商城入口【网站— mmgg520.com—】